Плазма в условиях электронного циклотронного резонанса (ЭЦР плазма)

    Плазма находящаяся в условиях электронного циклотронного резонанса (ЭЦР) позволяет осуществлять низкотемпературные технологические процессы (от температуры жидкого азота до 600 К).

    Преимущества ЭЦР плазмы перед другими методами возбуждения плазменного разряда следующие:

*     высокая плотность плазмы (до 10¹³ см^-3 при СВЧ мощности 500-1000 Вт), низкое рабочее давление (0.01-1 Па)
*     низкая энергия частиц плазмы (20-30 эВ при отсутствии внешнего смещения). Это позволяет достигать высоких скоростей роста и травления (10-10⁴ нм/мин) при уменьшении доли гомогенных реакций в объеме реактора.
*     конструктивные особенности ЭЦР источников плазмы с легкостью позволяют получить высокую однородность по площади (5% для диаметра 200 мм) при обработке поверхности (травление, пассивация) и осаждении.

    При осаждении тонких слоев из газовой фазы и прецизионном травлении минимизитуются радиационные повреждения приповерхностных областей структур, диффузия моноатомных газов, диффузионное размытие слоев и т. п.

    Благодаря низкому потенциалу плазмы в объеме ЭЦР-источника (25 - 40 В) и в реакторе (5 - 15 В) низок уровень физического распыления вещества со стенок реактора, что позволяет уменьшить загрязнение подложек и растущих слоев.

    Установка ЭЦР стимулированного травления и осаждения

    Компактный ЭЦР источник

    Создание наноструктур - ЭЦР травление

    ЭЦР осаждение (диэлектрики SiО₂ ,GeO₂ ,Si₃N₄; полупроводники Si, GaN, BN, алмаз)

        Вернуться к оглавлению